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IRF8714GPbF
10000
VGS = 0V,   f = 1 MHZ
C iss = C gs + C gd, C ds SHORTED
C rss = C gd
C oss = C ds + C gd
5.0
4.0
ID= 11A
VDS= 24V
VDS= 15V
1000
Ciss
Coss
3.0
Crss
2.0
100
1.0
10
0.0
1
10
100
0
2
4
6
8
10
1000
100
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 5. Typical Capacitance vs.
Drain-to-Source Voltage
1000
100
QG, Total Gate Charge (nC)
Fig 6. Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
OPERATION IN THIS AREA
LIMITED BY R DS(on)
T J = 150°C
1msec
100μsec
10
1
0.1
T J = 25°C
VGS = 0V
10
1
0.1
10msec
T A = 25°C
Tj = 150°C
Single Pulse
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
0
1
10
100
4
VSD, Source-to-Drain Voltage (V)
Fig 7. Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
www.irf.com
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